我们一起来看看内存技术的发展历史 [复制链接]

我们现在的工作、生活、学习离不开电脑、手机或其他智能设备的存在，而这些智能设备也离不开内存的存在。它伴随着DIY硬件走过了多年历程。从时代的30pinSIMM内存、时代的72pinSIMM内存，到Pentium时代的EDODRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。到如今的DDR4内存，DDR5内存。内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。我们一起来看看内存的发展史吧。

在主板发布之前，内存一直都是被固化在主板上，并且容量只有几十KB，在当时的系统及软件环境中，这样的容量是能满足软件运行处理的需要的。但是随着硬件平台的出现，程序对硬件提出了更高的要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，才有了我们如今常说的内存条出现。

在主板刚推出的时候，内存条采用了30针的SIMM接口（单列直插式内存模块），必须是由8片数据位和1片校验位组成1个bank，正因如此，我们见到的30pinSIMM一般是四条一起使用。它可以提供总计24个地址比特。对于8位数据宽度，则奇偶校验和非奇偶校验模块的绝对最大容量为16MB。

随着CPU技术的发展，30针的SIMM接口已经无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为亟待解决的瓶颈，在30针的SIMM接口上发展出了72针的SIMM接口，内存单条容量一般为KB～2MB，而且仅要求两条同时使用，采用12个地址线，可以提供总计24个地址比特，两个芯片Rank，以及32位数据输出，绝对最大容量为MB。

伴随着科学技术的发展，单列直插式内存模块SIMM已经不能满足CPU发展的需要了，因此诞生了SDRAM（同步动态随机存取内存），这也是如今我们内存常见的封装形式，SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM，第五代，DDR4SDRAM。

SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。

虽然SDRAM在基本的原理上比如基本存储的结构都是基本一样的，但是在整个内存架构的组织上是不同的，而且在存储单元的控制上也是有着相当大的区别的。因为异步DRAM同处理器和芯片的时钟并没有什么关系，所以芯片组只能按照DRAM内存的时序要求“被动”的操作DRAM控制引脚。SDRAM因为要同CPU和芯片组共享时钟，所以芯片组可以主动地在每个时钟的上升沿发给引脚控制命令。

从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。目前，最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒。